Исследователи создают самый маленький транзистор в мире

Команда ученых, возглавляемых исследователем Национальной лаборатории Лоуренса Беркли доктором наук Али Джейви, применяла углеродные нанотрубки и комплекс, названный дисульфидом молибдена, дабы создать транзистор с рабочим 1 нм (миллимикрон) ворота. Результаты команды покажутся в выпуске 7 октября издания Science.

Схематичный из транзистора с двусернистым углеродными воротами и каналом молибдена нанотрубки на 1 нм. Кредит изображения: Суджей Десаи / Национальная лаборатория Лоуренса Беркли.

Транзисторы складываются из трех терминалов: источник, утечка и ворота. Электрическими токами от источника до утечки и тем потоком руководят ворота, каковые включают и выключают в ответ на примененное напряжение.

“Полупроводниковая индустрия продолжительно предполагала, что каждые ворота ниже 5 нм не трудились бы, так, что-либо ниже этого кроме того не разглядели”, сообщил Суджей Десаи, ведущий создатель на изучении и аспирант в лаборатории доктора наук Джейви.“Мы сделали самый мелкий транзистор, сказал сейчас”, сообщил доктор наук Джейви.“Длину ворот вычисляют размером определения транзистора. Мы показали 1-nm-gate транзистор, продемонстрировав что с выбором надлежащих материалов, имеется намного больше помещения, дабы сократить отечественную электронику”, добавил он.

“Отечественное изучение говорит о том, что sub-5-nm ворота не должны быть обесценены. Промышленность сжимала каждую последнюю часть свойства из кремния”, сообщил Десаи.“Изменяя материал от кремния до дисульфида молибдена (MoS2), мы можем сделать транзистор с воротами, каковые являются всего 1 нм в длине, и руководите им как выключатель”.У и молибдена и дисульфида кремния имеется прозрачная структура решетки, но электроны, текущие через кремний, легче и сталкиваются с меньшим сопротивлением если сравнивать с дисульфидом молибдена.

Это – благо, в то время, когда ворота составляют 5 нм либо продолжительнее. Но ниже той длины, квант механическое явление призвало удары туннелирования, и барьер ворот больше не в состоянии помешать электронам неуклюже передвигаться через с источника на терминалы утечки.

Читать  Каково Заболевание Пэджета груди (сосок)? Что вызывает Болезнь Пэджета груди?

“Это указывает, что мы не можем отключить транзисторы. Электроны находятся вне контроля”, растолковал Десаи.

Потому, что электроны, текущие через дисульфид молибдена, более тяжелы, их потоком возможно руководить с меньшими длинами ворот.Дисульфид молибдена может кроме этого быть сокращен к атомарно узким страницам, примерно 0,65 нм толщиной, с более низкой диэлектрической константой, мера, отражающая свойство материала сохранить энергию в электрическом поле.Оба из этих особенностей, в дополнение к массе электрона, помощь усиливает контроль потока тока в транзисторе, в то время, когда протяженность ворот уменьшена до 1 нм.Когда они обосновались на дисульфиде молибдена как полупроводниковый материал, пришло время выстроить ворота.

Делание структуры на 1 нм, это складывается, не есть никаким мелким подвигом. Простые способы литографии не трудятся прекрасно в том масштабе, так, команды, перевоплощённые к углеродным нанотрубкам, выкопайте цилиндрические трубы с диаметрами всего 1 нм.Исследователи тогда измерили электрические особенности устройств продемонстрировать, что транзистор MoS2 с углеродными воротами нанотрубки действенно руководил потоком электронов.“Эта работа ответственна, дабы продемонстрировать, что мы больше не ограничиваемся воротами на 5 нм для отечественных транзисторов”, сообщил доктор наук Джейви.

“Закон Мура может продолжиться некое время продолжительнее надлежащей разработкой полупроводникового материала и архитектурой устройства”.

Исследователи создают самый маленький транзистор в мире: 13 комментариев

  1. Рассказывающим про теплотворность сланцевого газа не мешало бы это делать не со слов журналюг, а посмотрев в справочниках. Предварительно.

  2. Да все могут изготовить такое. Побольше окиси цинка, какого нибудь изотопа покруче, все это смешать с обычным мороженым, и – вуаля.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *