Исследователи создают самый маленький транзистор в мире

Команда ученых, возглавляемых исследователем Национальной лаборатории Лоуренса Беркли доктором наук Али Джейви, применяла углеродные нанотрубки и комплекс, названный дисульфидом молибдена, дабы создать транзистор с рабочим 1 нм (миллимикрон) ворота. Результаты команды покажутся в выпуске 7 октября издания Science.

Схематичный из транзистора с двусернистым углеродными воротами и каналом молибдена нанотрубки на 1 нм. Кредит изображения: Суджей Десаи / Национальная лаборатория Лоуренса Беркли.

Транзисторы складываются из трех терминалов: источник, утечка и ворота. Электрическими токами от источника до утечки и тем потоком руководят ворота, каковые включают и выключают в ответ на примененное напряжение.

“Полупроводниковая индустрия продолжительно предполагала, что каждые ворота ниже 5 нм не трудились бы, так, что-либо ниже этого кроме того не разглядели”, сообщил Суджей Десаи, ведущий создатель на изучении и аспирант в лаборатории доктора наук Джейви.“Мы сделали самый мелкий транзистор, сказал сейчас”, сообщил доктор наук Джейви.“Длину ворот вычисляют размером определения транзистора. Мы показали 1-nm-gate транзистор, продемонстрировав что с выбором надлежащих материалов, имеется намного больше помещения, дабы сократить отечественную электронику”, добавил он.

“Отечественное изучение говорит о том, что sub-5-nm ворота не должны быть обесценены. Промышленность сжимала каждую последнюю часть свойства из кремния”, сообщил Десаи.“Изменяя материал от кремния до дисульфида молибдена (MoS2), мы можем сделать транзистор с воротами, каковые являются всего 1 нм в длине, и руководите им как выключатель”.У и молибдена и дисульфида кремния имеется прозрачная структура решетки, но электроны, текущие через кремний, легче и сталкиваются с меньшим сопротивлением если сравнивать с дисульфидом молибдена.

Это – благо, в то время, когда ворота составляют 5 нм либо продолжительнее. Но ниже той длины, квант механическое явление призвало удары туннелирования, и барьер ворот больше не в состоянии помешать электронам неуклюже передвигаться через с источника на терминалы утечки.

Читать  Обновленная болезнь Альцгеймера диагностические критерии, чтобы включать более ранние стадии и биомаркеры

“Это указывает, что мы не можем отключить транзисторы. Электроны находятся вне контроля”, растолковал Десаи.

Потому, что электроны, текущие через дисульфид молибдена, более тяжелы, их потоком возможно руководить с меньшими длинами ворот.Дисульфид молибдена может кроме этого быть сокращен к атомарно узким страницам, примерно 0,65 нм толщиной, с более низкой диэлектрической константой, мера, отражающая свойство материала сохранить энергию в электрическом поле.Оба из этих особенностей, в дополнение к массе электрона, помощь усиливает контроль потока тока в транзисторе, в то время, когда протяженность ворот уменьшена до 1 нм.Когда они обосновались на дисульфиде молибдена как полупроводниковый материал, пришло время выстроить ворота.

Делание структуры на 1 нм, это складывается, не есть никаким мелким подвигом. Простые способы литографии не трудятся прекрасно в том масштабе, так, команды, перевоплощённые к углеродным нанотрубкам, выкопайте цилиндрические трубы с диаметрами всего 1 нм.Исследователи тогда измерили электрические особенности устройств продемонстрировать, что транзистор MoS2 с углеродными воротами нанотрубки действенно руководил потоком электронов.“Эта работа ответственна, дабы продемонстрировать, что мы больше не ограничиваемся воротами на 5 нм для отечественных транзисторов”, сообщил доктор наук Джейви.

“Закон Мура может продолжиться некое время продолжительнее надлежащей разработкой полупроводникового материала и архитектурой устройства”.

Исследователи создают самый маленький транзистор в мире: 13 комментариев

  1. Рассказывающим про теплотворность сланцевого газа не мешало бы это делать не со слов журналюг, а посмотрев в справочниках. Предварительно.

  2. Да все могут изготовить такое. Побольше окиси цинка, какого нибудь изотопа покруче, все это смешать с обычным мороженым, и – вуаля.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *