В базе разработки — пористый оксид цинка с напылением платины и золота.В базе разработки — пористый оксид цинка с напылением платины и золота. Модули памяти из этого материала могут хранить в сотки раза больше инфы, их актуальный цикл в 100 раз продолжительнее, и они выдерживают нагревание до громадных температур, не теряя сохраненные эти
Сделанные по такому принципу ячейки более надежны, не требуют расхода энергии для хранения инфы, могут хранить до 9 бит данных на ячейку и снабжают более высшую скорость записи/чтения данных (до 100 раз резвее, чем флеш-память). Что самое принципиальное, новенькая разработка упрощает “укладку” слоев RRAM-памяти, что разрешает прирастить количество хранимой инфы. У 1-го из прототипов плотность хранения данных так высока, что на микросхеме размером с почтовую марку возможно на этом умещен терабайт памяти. Исследователи из Райса внесли предложение второй подход, разрешающий создавать ячейки RRAM-памяти при комнатной температуре и еще более низком напряжении.
Он заключается в применении пористого оксида кремния в качестве главного диэлектрического материала.Выпуском модулей RRAM-памяти занимаются всего пару компаний. Процесс производства таких микросхем дорогостоящий и весьма непростой — он требует громадных напряжения и температур для переключения в приводящее состояние.
Исследователи из института Райса в штате Техас (США) представили разработку производства RRAM — резистивной памяти с произвольным доступом, — которая разрешит прирастить количество дешёвой “оперативки” в телефонах и планшетниках в 10-ки и а также сотки раз. Идет обращение об одной из разновидностей RRAM, у которой выше плотность и ниже уровень энергопотребления, чем у “обычной” памяти.
Вприбавок к этому, она более малогабаритна.